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本发明所提供的半导体结构的形成方法，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底中形成有沟槽；形成阻挡层，阻挡层覆盖了沟槽的内壁；在阻挡层上形成第一预定厚度的第一种子层，第一种子层在所述沟槽的开口处的厚度厚于第一种子层在沟槽的剩余部分的厚度；以及减...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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