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本发明涉及一种基于SRAM实现存内运算的电路结构,包括双译码电路、存储阵列电路、单端敏感放大器电路和逻辑运算电路,所述双译码电路输出端通过或门与存储阵列电路相连,所述存储阵列电路的位线实现线与操作,位线非实现或非操作后分别通过所述单端敏感放...该专利属于上海高性能集成电路设计中心所有,仅供学习研究参考,未经过上海高性能集成电路设计中心授权不得商用。
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本发明涉及一种基于SRAM实现存内运算的电路结构,包括双译码电路、存储阵列电路、单端敏感放大器电路和逻辑运算电路,所述双译码电路输出端通过或门与存储阵列电路相连,所述存储阵列电路的位线实现线与操作,位线非实现或非操作后分别通过所述单端敏感放...