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八晶体管静态随机存取存储器的布局图案与形成方法技术
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文档序号:26175320
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本发明公开一种八晶体管静态随机存取存储器(8T‑SRAM)的布局图案与形成方法,其布局图案包含一第一扩散区、一第二扩散区以及一第三扩散区位于一基底上,其中该第三扩散区与该第一扩散区之间存在有一极限间距区,且该极限间距区直接接触该第一扩散区与...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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