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本申请案涉及具有行锤击应力缓解的DRAM阵列架构。一种设备包含多个主字线电路。每一主字线电路将相应全局字线驱动到有效状态值、中间电压状态或预充电状态中的一个。中间电压状态电压低于有效状态电压且高于预充电状态电压。存储器装置还包含多个子字线驱...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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