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本发明涉及一种半导体钼靶材及其制备方法和用途，所述制备方法包括依次进行的高纯钼粉筛分和装模、冷等静压、烧结、热轧、退火，进而制备得到半导体钼靶材；其中，所述烧结采取阶段升温烧结法进行，在20‑1500℃的升温阶段，升温速率逐渐减小，在150...
该专利属于宁波江丰钨钼材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波江丰钨钼材料有限公司授权不得商用。

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