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本发明公开一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，首先将氧化好的硅片进行第一次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把它进行第二次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅...
该专利属于中国计量大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国计量大学授权不得商用。

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