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实用新型提供一种提高磁控溅射靶材利用率的装置。所述提高磁控溅射靶材利用率的装置，包括磁轭以及磁体组；所述磁体组设置于所述磁轭上部，并且磁体组包括直道区磁体和环形区磁体，所述直道区磁体包含一组中心磁体和二组外侧磁体，并且所述直道区磁体呈水平平...
该专利属于谢斌所有，仅供学习研究参考，未经过谢斌授权不得商用。

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