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使用深隔离的FinFET技术制造技术
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文档序号:26075101
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本文中描述了FinFET晶体管(102)、(104)、PN结(150)及其形成方法(400)。在一个示例中,描述了一种FinFET晶体管(102、104),该FinFET晶体管(102、104)包括金属栅极(208)所包裹的沟道区域(214...
该专利属于赛灵思公司所有,仅供学习研究参考,未经过赛灵思公司授权不得商用。
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