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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为，首先提供一基底，该基底包含一第一半导体层、一绝缘层以及一第二半导体层，然后形成一主动元件于基底上，形成一层间介电层于基底及主动元件上，形成第一接触插塞于层间介电层内并电连接主...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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