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本发明公开了一种利于碳化硅晶体生长的坩埚，属于新材料技术领域，包括石墨坩埚、设置在石墨坩埚上部的密封盖以及依次紧贴设置在石墨坩埚外的隔热层二、隔热层一、外部固定感应线圈的石英真空室；所述石墨坩埚外径的尺寸上下一致；石墨坩埚内径的尺寸上端小于...
该专利属于中电科工程建设有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电科工程建设有限公司授权不得商用。

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