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本发明公开一种基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法及MEMS器件封装方法，该TGV衬底制备方法包括硅片表面氧化、制作浅槽图形和深槽图形、刻蚀、再次刻蚀、再次氧化、玻璃回流和后处理；该MEMS器件封装方法利用该TGV衬底制备方法制备得到的TG...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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