基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法及MEMS器件封装方法技术

本发明专利技术公开一种基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法及MEMS器件封装方法，该TGV衬底制备方法包括硅片表面氧化、制作浅槽图形和深槽图形、刻蚀、再次刻蚀、再次氧化、玻璃回流和后处理；该MEMS器件封装方法利用该TGV衬底制备方法制备得到的TGV衬底对MEMS器件进行真空封装。本发明专利技术提供的MEMS器件封装方法可以同时实现横向和纵向互连，同时不需要向玻璃通孔中填充金属来实现芯片的垂直互连，本发明专利技术的MEMS器件封装方法具有气密性好、热应力小、寄生效应小、引线互连方式灵活等突出优点，有利于提升MEMS器件性能，因此具有非常好的应用潜力和发展前景。

【技术实现步骤摘要】
基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法及MEMS器件封装方法
本专利技术涉及MEMS器件封装
，尤其是一种基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法及MEMS器件封装方法。
技术介绍
微机电系统(MicroElectroMechanicalSystems，MEMS)是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源、微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统，具有体积小、功耗低、可靠性高、易于批量化制造等显著特点。封装是实现MEMS芯片I/O接口、内部结构保护、环境交互与隔离、提供稳定可靠工作环境的有效途径，也是从实验室样机向产品过渡的关键。封装成本占整个MEMS器件成本的50％以上，有的甚至超过80％。与IC封装不同，MEMS芯片封装不仅仅是实现电信号的内外互连，更重要的是涉及到封装对机械结构动力学特性的影响。因此，传统的IC封装技术很难直接在MEMS产品上获得应用，尤其是工业级以及军事应用等要求较高的场合。目前MEMS芯片真空封装分为两种形式：器件级封装和圆片级封装。器件级真空封装是将芯片划片后再单独贴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法，其特征在于，包括：/nS1：对硅片进行氧化，获得上、下表面均具有第一氧化层的硅片；/nS2：在所述硅片上表面或者下表面的第一氧化层上匀胶，通过光刻在所述硅片的匀胶表面制作刻蚀硅片的浅槽图形和深槽图形，并将所述浅槽图形用光刻胶覆盖；/nS3：以光刻胶作和第一氧化层为刻蚀掩膜对所述硅片进行深反应离子刻蚀，在所述深槽图形对应位置处形成50～150μm深的凹槽；/nS4：去除所述浅槽图形上覆盖的光刻胶，继续对所述硅片进行深反应离子刻蚀，在所述浅槽图形对应位置处形成150～450μm深的浅槽，在所述深槽图形对应位置处形成350～900μm深的深槽；所述深槽的...

【技术特征摘要】
1.一种基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法，其特征在于，包括：
S1：对硅片进行氧化，获得上、下表面均具有第一氧化层的硅片；
S2：在所述硅片上表面或者下表面的第一氧化层上匀胶，通过光刻在所述硅片的匀胶表面制作刻蚀硅片的浅槽图形和深槽图形，并将所述浅槽图形用光刻胶覆盖；
S3：以光刻胶作和第一氧化层为刻蚀掩膜对所述硅片进行深反应离子刻蚀，在所述深槽图形对应位置处形成50～150μm深的凹槽；
S4：去除所述浅槽图形上覆盖的光刻胶，继续对所述硅片进行深反应离子刻蚀，在所述浅槽图形对应位置处形成150～450μm深的浅槽，在所述深槽图形对应位置处形成350～900μm深的深槽；所述深槽的深度大于所述浅槽的深度；
S5：去除所述硅片上的光刻胶以及第一氧化层，并再次对所述硅片进行氧化，获得上、下表面均具有第二氧化层的硅片；
S6：将玻璃圆片置于所述硅片具有所述浅槽和所述深槽的表面上进行键合，获得组合件；
S7：将所述组合件在1000～2000℃下回流3～6h，获得原始衬底；
S8：对所述原始衬底进行研磨、磨削和单面CMP抛光，获得TGV衬底。


2.如权利要求1所述的TGV衬底制备方法，其特征在于，所述硅片选用N型单晶硅片。


3.如权利要求1所述的TGV衬底制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述第一氧化层的厚度为1～2μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：侯占强，吴学忠，肖定邦，邝云斌，肖斌，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43