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在蚀刻处理中的晶片的膜厚/深度测定中，由于光源的光量波动、光通过的区域的空气的波动等而在检测光量中产生变动，膜厚/深度的测定精度下降，因此，根据在蚀刻处理中的各时刻测定的分光光谱而算出任意的波长的总光量或平均光量，算出使用比当前时刻靠前测定...
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