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本发明提供了一种超结MOSFET（Metal‑Oxide‑Semiconductor Field Effect Transistor，金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管）器件，其耐压层中第二导电类型的半导体区采用非均匀掺杂以提高该区电阻，并且...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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