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一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法，该存储单元包括：栅电极层(4)；所述栅电极层(4)的厚度方向上设置有贯穿的第一通孔(14)；从所述第一通孔(14)的内壁向靠近轴线的方向上，依次覆盖有第一介质层(9)、铁电薄膜层(10)、...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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