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本发明公开了一种低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法，制作方法包括：S1、在半导体衬底的表面形成硅外延层；S2、在硅外延层的表面形成阻挡层；S3、利用光刻工艺在阻挡层定义出沟槽区域，以阻挡层为掩模在沟槽区域对硅外延层进行刻蚀形成沟槽；S4、在沟槽...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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