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本发明公开了一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置及方法，属于SiC晶体生长领域，该装置包括：坩埚、保温层、外加热器和上加热器，其中，所述坩埚位于保温层内；所述外加热器位于所述保温层外侧；所述上加热器位于所述坩埚顶盖的上部，配合所述外加热器反复...
该专利属于河北同光科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光科技发展有限公司授权不得商用。

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