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本公开的实施例涉及HEMT功率器件和集成电路。功率器件由彼此级联的D模式HEMT和MOSFET形成，并且被集成在具有基底主体和基底主体上的异质结构层的芯片中。D模式HEMT包括形成在异质结构层中的沟道区域；MOSFET包括形成在基底主体中的...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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