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本发明提供一种分栅式存储器的制造方法，主要包括：提供一衬底，在所述衬底上自下而上依次形成氧化层、浮栅层、介质层、控制栅层和伪栅层；形成第一侧墙；形成一护层，所述护层覆盖所述沟槽的底部；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述护层、所述控制栅层至所述介...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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