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本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：S1：衬底清洗；S2：在衬底上采用磁控溅射生长变温缓冲层；S3：在变温缓冲层上采用磁控溅射生长取向生长层；S4：取向生长层到达设定的厚度后，停止生长；变温生长层和取向生长层共同形成ITO薄...
该专利属于先导薄膜材料(广东)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先导薄膜材料(广东)有限公司授权不得商用。

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