ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种ITO薄膜的制备方法，其包括如下步骤：S1：衬底清洗；S2：在衬底上采用磁控溅射生长变温缓冲层；S3：在变温缓冲层上采用磁控溅射生长取向生长层；S4：取向生长层到达设定的厚度后，停止生长；变温生长层和取向生长层共同形成ITO薄膜。与现有技术相比，本ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法无需引入异质诱导层，具有工艺简便易控、易于大规模生产的优点，且在获得（004）择优取向ITO薄膜的同时，不会造成化学计量比尤其是氧缺位浓度的变化，ITO薄膜组分均一，ITO透明导电玻璃的透明导电性能优异。

【技术实现步骤摘要】
ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法
本专利技术涉及功能薄膜材料及器件领域，尤其涉及一种ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法。
技术介绍
宽禁带透明导电ITO薄膜在室温下的禁带宽度Eg在3.5-4.3eV之间，其具有高可见光透过率、高载流子浓度和迁移率、高红外发射率等光电输运性能优势，且具有高硬度、非晶薄膜易刻蚀成电极图案等优势，被广泛应用于高迁移率薄膜晶体管、彩色滤光片、触控屏、光伏、节能玻璃等领域。随着应用场景的不断细化，进一步提高ITO薄膜的透明导电性能、降低制造成本一直是相关产业化技术研发所关注的焦点。直流磁控溅射作为目前最广泛应用的ITO薄膜生长技术，具有生长速率高、大面积成膜均匀、生产成本低等优势，但当前采用直流磁控溅射制备ITO薄膜的择优取向一般以（222）晶面为主。根据Kulkarnia等人的报道-（ThinSolidFilms,1999,345:273-277），（004）择优取向的ITO薄膜相比（222）取向的ITO薄膜具有更低的晶界散射、更高的电导率和更高的可见光透过率。因此，具有（004）择优取向的ITO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：/nS1：衬底清洗；/nS2：在衬底上采用磁控溅射生长变温缓冲层；/nS3：在变温缓冲层上采用磁控溅射生长取向生长层；/nS4：取向生长层到达设定的厚度后，停止生长；变温生长层和取向生长层共同形成ITO薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：
S1：衬底清洗；
S2：在衬底上采用磁控溅射生长变温缓冲层；
S3：在变温缓冲层上采用磁控溅射生长取向生长层；
S4：取向生长层到达设定的厚度后，停止生长；变温生长层和取向生长层共同形成ITO薄膜。


2.根据权利要求1所述ITO薄膜的制备方法，其特征在于：S2中，变温缓冲层的生长过程为：将衬底的初始温度控制为80-120℃，开始进行磁控溅射生长缓冲层，当缓冲层每沉积1nm，将衬底的温度升高0.8-1.2℃，直至缓冲层的厚度到达设定厚度，形成变温缓冲层。


3.根据权利要求1所述ITO薄膜的制备方法，其特征在于：S2中，变温缓冲层的设定厚度为20-100nm。


4.根据权利要求1所述ITO薄膜的制备方法，其特征在于：S2中，磁控溅射的功率密度为1.6-3.2W/cm2。


5.根据权利要求1所述ITO薄膜的制备方法，其特征在于：S2中，磁控溅射的溅射压力为0.2-2.0Pa。


6.根据权利要求1所述ITO薄膜的制备方法，其特征在于：S2中，磁控溅射的氧分压为0.1%-0.3%。

【专利技术属性】
技术研发人员：宋世金，朱刘，任丽，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44