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基准电压产生电路以及半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:25889688
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本发明提供即使外部电压变动也能够抑制输出电压的变动的基准电压产生电路以及半导体装置。基准电压产生电路包括:第1二极管(1c),具有第1导通面积;第2二极管(2c),具有大于第1导通面积的第2导通面积;生成部(4、3),使用基于第1二极管(1...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。
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