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本发明提供了一种自对准接触孔的制造方法、半导体器件的制造方法，通过先填充牺牲材料层于相邻栅堆叠结构之间的沟槽中，后去除待形成接触孔的区域以外的牺牲材料层，来在牺牲材料层中形成开口，进而可以在开口中填充绝缘介质层后，通过选择性刻蚀工艺去除所述...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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