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公开了由键合半导体器件形成的三维(3D)存储器件以及用于形成三维(3D)存储器件的方法的实施例。在示例中，一种用于形成键合半导体器件的方法包括以下操作。首先，形成第一晶片和第二晶片。第一晶片可以包括衬底之上的功能层。单晶硅可以不是衬底必需的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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