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公开了一种半导体器件建模方法，包括建立原生晶体管模型和寄生晶体管模型，原生晶体管模型衬底连接至寄生晶体管模型基极，并通过衬底电阻接地；原生晶体管模型的漏极和寄生晶体管的集电极均通过漏端电阻连接至半导体器件的漏端；原生晶体管模型的源极和寄生晶...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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