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本发明提供一种用于AlN单晶生长的复合籽晶，包括AlN陶瓷基片、位于所述AlN陶瓷基片之上的石墨烯薄层以及位于所述石墨烯薄层之上的AlN薄膜。本发明还提供一种制备本发明的用于AlN单晶生长的复合籽晶的方法，包括如下步骤：(1)在AlN陶瓷基...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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