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本发明公开了一种高功率处理器芯片老化测试的方法，其步骤包括：步骤S1：在测试芯片内部设有内置温度传感器，由测试芯片的程序访问；步骤S2：测试芯片被安装在测试插座中，通电后开始执行老化程序；步骤S3：实时读取内置温度传感器的数值，与规定的老化...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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