一种高功率处理器芯片老化测试的方法技术

本发明专利技术公开了一种高功率处理器芯片老化测试的方法，其步骤包括：步骤S1：在测试芯片内部设有内置温度传感器，由测试芯片的程序访问；步骤S2：测试芯片被安装在测试插座中，通电后开始执行老化程序；步骤S3：实时读取内置温度传感器的数值，与规定的老化温度值比较；步骤S4：如果目前测试芯片中内置温度传感器低于规定的老化温度值，则应加热升温，此时通过程序让测试芯片运行在高计算和/或高负载状态，自行升温；否则，则应降温；步骤S5：通过程序控制测试芯片的工况，使测试芯片的温度在规定的老化温度值附近上下波动，完成老化作业。本发明专利技术具有原理十分简单、操作极为方便、实现成本比较低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率处理器芯片老化测试的方法
本专利技术主要涉及到芯片老化验证
，特指一种高功率处理器芯片老化测试的方法。
技术介绍
目前的芯片老化验证技术(HighTemperatureOperatingLife，简称HTOL)是让芯片(IntegratedCircuit，简称IC)在统一温度的试验箱中，利用测试插座的插座测试端测试芯片的芯片测试端，并且在测试过程中通过老化测试机给IC提供温度。在特定模式下运行，所有IC都处在同一温度下，而且机台不能单独控制每颗IC的温度。但是，高功率IC在28nm或者更高的工艺下，同一批IC个体差异非常大，用原先的老化技术进行验证时，IC的PN结温度差异也非常大，导致无法得出准确的试验结果。于是有从业者提出了一些解决方案，如：中国专利申请(201820590996.X)公开了一种IC老化测试座，通过设置的通风孔以及温度传感器，可以改善老化测试座加热的均匀性，提高IC芯片老化测试的准确性。中国专利申请(201820698002.6)的目的在于提供一种芯片老化测试装置，具备电路板放置在测试设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高功率处理器芯片老化测试的方法，其特征在于，步骤包括：/n步骤S1：在测试芯片内部设有内置温度传感器，所述内置温度传感器由测试芯片的程序访问；/n步骤S2：测试芯片被安装在测试插座中，通电后开始执行老化程序；/n步骤S3：对测试芯片的运行环境初始化；实时读取内置温度传感器的数值，与规定的老化温度值比较；/n步骤S4：如果目前测试芯片中内置温度传感器低于规定的老化温度值，则应加热升温，此时通过程序让测试芯片运行在高计算和/或高负载状态，自行升温；否则，则应降温，此时通过程序让测试芯片运行在低计算和/或低负载状态；/n步骤S5：通过程序控制测试芯片的工况，使测试芯片的温度在规定的老化温度值...

【技术特征摘要】
1.一种高功率处理器芯片老化测试的方法，其特征在于，步骤包括：
步骤S1：在测试芯片内部设有内置温度传感器，所述内置温度传感器由测试芯片的程序访问；
步骤S2：测试芯片被安装在测试插座中，通电后开始执行老化程序；
步骤S3：对测试芯片的运行环境初始化；实时读取内置温度传感器的数值，与规定的老化温度值比较；
步骤S4：如果目前测试芯片中内置温度传感器低于规定的老化温度值，则应加热升温，此时通过程序让测试芯片运行在高计算和/或高负载状态，自行升温；否则，则应降温，此时通过程序让测试芯片运行在低计算和/或低负载状态；
步骤S5：通过程序控制测试芯片的工况，使测试芯片的温度在规定的老化温度值附近上下波动，完成老化作业。


2.根据权利要求1所述的高功率处理器芯片老化测试的方法，其特征在于，所述内置温度传感器安装于测试芯片上管芯的位置，用来监测测试芯片的管芯温度。


3.根据权利要求1所述的高功率处理器芯片老化测试的方法，其特征在于，在所述测试芯片内设有多个内置温度传感器，在测试过程中选取最高温度来实现温度总体控制。


4.根据权利要求1所述的高功率处理器芯片老化测试的方法，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：扈啸，郭阳，孙永节，陈小文，孙海燕，刘仲，李继雄，李向均，粟毅，张世亮，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43