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本发明提供一种超疏水微坑阵列芯片，所述芯片通过以下方法制备：通过一体注塑形成包括微坑阵列和超疏水涂层池的芯片，将超疏水涂料加入到超疏水涂层池中，所述超疏水涂料溶液挥发后在所述微坑阵列的微坑之间形成超疏水层，所述超疏水层是指其表面与水或水溶液...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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