温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种薄膜晶体管，包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，其中，所述薄膜晶体管中的有源层采用稳定性较好且Hall迁移率高的Nb‑In‑O材料制成的Nb‑In‑O薄膜，使得到的薄膜晶体管具有高稳定性和高Hall迁移率(>...
该专利属于佛山科学技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过佛山科学技术学院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。