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一种具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件；其中，具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元包括：磁性自由层，所述磁性自由层包括：垂直磁化的铁磁性区域和功能性区域；其中，所述铁磁性区域和功能性区域形成水平不对称结构；当电流流经磁性...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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