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本发明公开了一种高质量氮化铝压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)取一基板，清洗、甩干后，采用MOCVD设备在基板上生长单晶氮化铝薄膜；(2)采用PVD设备在步骤(1)所得的单晶氮化铝薄膜上进行磁控溅射，生成多晶氮化铝薄膜；结合MOCVD...
该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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