一种高质量氮化铝压电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高质量氮化铝压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)取一基板，清洗、甩干后，采用MOCVD设备在基板上生长单晶氮化铝薄膜；(2)采用PVD设备在步骤(1)所得的单晶氮化铝薄膜上进行磁控溅射，生成多晶氮化铝薄膜；结合MOCVD和PVD两步生长法，简单，易操作，显著提升了溅射氮化铝薄膜的晶体质量，并实现了生长氮化铝材料的厚度及应力的可控。本发明专利技术还公开了一种高质量氮化铝压电薄膜，由上述方法制备而成，通过设置单晶氮化铝薄膜作为缓冲层，氮化铝薄膜的晶体质量高，氮化铝压电薄膜整体性能优异。本发明专利技术还公开了上述氮化铝压电薄膜在FBAR滤波器上的应用，可以提高FBAR滤波器的整体性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高质量氮化铝压电薄膜及其制备方法
本专利技术涉及半导体材料及电子通讯装置
，尤其涉及一种高质量氮化铝压电薄膜及其制备方法。
技术介绍
无线通讯终端的多功能化发展对射频器件提出了微型化、高频率、高性能、低功耗、低成本等高技术要求。传统的声表面波滤波器(SAW)在2.4GHz以上的高频段插入损耗大，介质滤波器有很好的性能但是体积太大。近年来，随着加工工艺技术水平的提高和现代无线通信技术，尤其是个人无线通信技术的快速发展，出现的一种新的射频器件技术，即薄膜体声波谐振器(FBAR)技术，它具有极高的品质因数Q值(1000以上)和可集成于IC芯片上的优点，并能与互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)工艺兼容，同时有效地避免了声表面波谐振器和介质谐振器无法与CMOS工艺兼容的缺点。FBAR的基本原理是基于压电材料的机械能和电能转换，因此压电薄膜的质量直接影响了FBAR滤波器的损耗和滚降特性。氮化铝是FBAR的商用最成功的压电材料，由于其声速高，因此应用于更高的频率，符合现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高质量氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)取一基板，清洗、甩干后，采用MOCVD设备在基板上生长单晶氮化铝薄膜；/n(2)采用PVD设备在步骤(1)所得的单晶氮化铝薄膜上进行磁控溅射，生成多晶氮化铝薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种高质量氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取一基板，清洗、甩干后，采用MOCVD设备在基板上生长单晶氮化铝薄膜；
(2)采用PVD设备在步骤(1)所得的单晶氮化铝薄膜上进行磁控溅射，生成多晶氮化铝薄膜。


2.根据权利要求1所述的高质量氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述单晶氮化铝薄膜与所述多晶氮化铝薄膜的厚度比为1：(3-10)。


3.根据权利要求2所述的高质量氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述单晶氮化铝薄膜的厚度为10-500nm；所述多晶氮化铝薄膜的厚度为100-1500nm。

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44