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本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种提高雪崩耐量的VDMOS及制备方法，在本发明的器件中引入了第二多晶硅栅电极替换掉了传统VDMOS结构源区下方部分的体区，并且对JEFT区域进行了与漂移区相同杂质类型的中等掺杂，在器件正向导通时...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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