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公开了一种半导体器件，在衬底上设置有外延层，在外延层上表面设置有漂移区、源端掺杂区和漏端掺杂区，栅极结构在源端掺杂区至漏端掺杂区之间形成沟道区，其中，漂移区中还设置有掺杂类型与漂移区掺杂类型相反的至少两层注入层，注入层深度大于漏端掺杂区，每...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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