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本发明提供一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含有一正面氧化层位于一背面氧化层上，一正面电子元件，位于该正面氧化层中，一背面电子元件，位于该背面氧化层中，以及一屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含一...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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