半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含有一正面氧化层位于一背面氧化层上，一正面电子元件，位于该正面氧化层中，一背面电子元件，位于该背面氧化层中，以及一屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含一图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法
本专利技术涉及一种半导体结构，特别来说，是涉及一种具有屏蔽结构半导体结构及其制作方法，可降低射频(radiofrequency,RF)电路的电磁波干扰。
技术介绍
在现代的信息社会中，由集成电路(integratedcircuit,IC)所构成的微处理器系统早已被普遍运用于生活的各个层面，例如自动控制的家电用品、移动通讯设备、个人计算机等，都有集成电路的踪迹。而随着科技的日益精进，以及人类社会对于电子产品的各种想象，使得集成电路也往更多元、更精密、更小型的方向发展。一般所谓集成电路，是通过现有半导体制作工艺中所生产的管芯(die)而形成。制造管芯的过程，由生产一晶片(wafer)开始：首先，在一片晶片上区分出多个区域，并在每个区域上，通过各种半导体制作工艺如沉积、光刻、蚀刻或平坦化步骤，以形成各种所需的电路路线，接着，再对晶片上的各个区域进行切割而成各个管芯，并利用各种的封装技术，将管芯封装成芯片(chip)，最后再将芯片电连接至一电路板，如一印刷电路板(printedcircuitboard,PCB)，使芯片与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含有:/n正面氧化层，位于背面氧化层上；/n正面电子元件，位于该正面氧化层中；/n背面电子元件，位于该背面氧化层中；以及/n屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含有:
正面氧化层，位于背面氧化层上；
正面电子元件，位于该正面氧化层中；
背面电子元件，位于该背面氧化层中；以及
屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该屏蔽层结构接地。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该两正面接触结构位于该正面氧化层中，并且电连接该图案化埋层金属层。


4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该正面电子元件位于该两正面接触结构以及该图案化埋层金属层之间。


5.如权利要求3所述的半导体结构，其中还包含有多条正面导电线路，位于该正面氧化层上，并且部分该正面导电线路通过至少一正面接触结构与该屏蔽层结构电连接。


6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该两背面接触结构位于该背面氧化层中，并且电连接该图案化埋层金属层。


7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该背面电子元件位于该两背面接触结构以及该图案化埋层金属层之间。


8.如权利要求6所述的半导体结构，其中还包含有多条背面导电线路，位于该背面氧化层下，并且部分该背面导电线路通过至少一背面接触结构与该屏蔽层结构电连接。


9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该图案化埋层金属层的材质包含有钨(W)、硅化钨(WSi)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)。


10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该正面电子元件与该背面电子元件的至少其中之一包含有晶体管。


11.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志飙，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71