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本发明提供一种半导体储存装置，改善存储器区域的利用效率且便利性高。本发明的快闪存储器(100)包括存储器控制器(200)与NAND型存储器装置(300)。存储器控制器(200)包括：SRAM(210)，储存将逻辑地址转换成实体地址的转换表；...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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