温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种磁存储器件中底电极的制备方法，该制备方法包括：提供衬底，该衬底上具有介电层，介电层上设置有底通孔以及金属插塞；在介电层上沉积硬掩膜层；在介电层的外围区域刻蚀出对准标记；去除硬掩膜层；在去除硬掩膜层后的结构上沉积底电极材料层，...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。