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本发明涉及一种阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、第二导电类型体区、第二导电类型材料、阶梯型沟槽、肖特基金属与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表面开设有阶梯型...
该专利属于苏州凤凰芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州凤凰芯电子科技有限公司授权不得商用。

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