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本发明涉及半导体技术领域，尤其为一种优化的深沟道半导体器件终端，包括有虚拟设置的虚线，虚线向左为半导体有源(元胞)区，虚线向右为终端保护区，在半导体器件的俯视平面上，元胞有源(元胞)区位于器件的中心，终端保护区位于有源区的外圈且环绕包围有源...
该专利属于恒泰柯半导体(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恒泰柯半导体(上海)有限公司授权不得商用。

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