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实施方式提供一种高速地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1存储晶体管；第1配线，连接在第1存储晶体管的栅极电极；第1连接晶体管，连接在第1配线；以及第2配线，连接在第1连接晶体管。在针对第1存储晶体管的第1写入动作的第1...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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