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本发明公开了一种优化碳化硅MOSFET自对准工艺的方法，该方法仅通过使用一层P阱光罩刻蚀出第一离子注入区域，以用于形成P阱；再通过沉积、刻蚀等工艺在第一离子注入区域内形成第二离子注入区域，以用于形成叠层的NPlus区域和PPlus区域；最后...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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