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本发明公开半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包含：一基底，该基底上设有一栅极结构以及环绕该栅极结构的一第一层间介电层，其中该栅极结构包含一栅极电极以及位于该栅极电极两侧的一侧壁子，一第一硬掩模，其设于该栅极结构上，一第二硬掩模，其设于该...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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