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本发明公开了一种基于全介质超表面的高品质因数折射率传感器，它的全介质超表面单元由第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块组成，第一硅矩形介质块、第二硅矩形介质块和第三硅矩形介质块通过电子束蒸发沉积法沉积在透明玻璃基底上，第一硅矩...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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