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提供切割芯片接合薄膜，其适于在低温条件下实施用于得到带有粘接剂层的半导体芯片的扩展工序。本发明的切割芯片接合薄膜X具有包含切割带(10)及芯片接合薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)的粘合剂层(12)侧的表面在对SUS平面在‑15℃、剥离...
该专利属于日东电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日东电工株式会社授权不得商用。

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