切割芯片接合薄膜制造技术

提供切割芯片接合薄膜，其适于在低温条件下实施用于得到带有粘接剂层的半导体芯片的扩展工序。本发明专利技术的切割芯片接合薄膜X具有包含切割带(10)及芯片接合薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)的粘合剂层(12)侧的表面在对SUS平面在‑15℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.3N/20mm以上的剥离粘合力。芯片接合薄膜(20)以可剥离的方式密合于切割带(10)所具有的粘合剂层(12)。

【技术实现步骤摘要】
切割芯片接合薄膜
本专利技术涉及半导体装置的制造过程中可以使用的切割芯片接合薄膜。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，在得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有粘接剂层的半导体芯片的方面，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和以可剥离的方式密合于其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。芯片接合薄膜具有超过作为工件的半导体晶圆的尺寸的圆盘形状、对例如具有超过该芯片接合薄膜的尺寸的圆盘形状的切割带以同心圆状贴合于其粘合剂层侧。在切割带的粘合剂层中未被芯片接合薄膜覆盖的芯片接合薄膜周围的区域可贴附有环框。环框是以贴附于切割带的状态在各种装置所具备的输送臂等输送机构输送工件时机械地抵接的构件。这样的切割芯片接合薄膜例如可以如下来使用。首先，在将环框贴附于切割带的芯片接合薄膜周围的粘合区域的状态下，将作为工件的半导体晶圆贴合于芯片接合薄膜上。接着，对切割芯片接合薄膜和/或处于被保持在其芯片接合薄膜的状态的半导体晶圆进行刀片切割。在刀片切割中，半导体晶圆及与其密合的芯片接合薄膜受到基于高速旋本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：/n切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，及/n芯片接合薄膜，以可剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层，/n所述切割带中的所述粘合剂层侧的表面在对SUS平面在-15℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.3N/20mm以上的剥离粘合力。/n

【技术特征摘要】
20190304 JP 2019-0382491.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，及
芯片接合薄膜，以可剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层，
所述切割带中的所述粘合剂层侧的表面在对SUS平面在-15℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.3N/20mm以上的剥离粘合力。


2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割带在对宽度20mm的切割带试验片在初始卡盘间距离100mm、-15℃、及拉伸速度200mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中，在应变值30％时产生的拉伸应力为50N/20mm以下。


3.根据权利要求1或2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，杉村敏正，大西谦司，宍户雄一郎，福井章洋，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP