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砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是：分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Ｖｇｓｆ与ｔ的曲线和只加负偏压且在设定的不同...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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