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本发明公开了一种改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法，先获取双极晶体管单元结构的电参数要求及结构参数要求，接着根据电参数要求及结构参数要求建立适用于双极晶体管电学性能温度特性的Klaassen模型，然后采用TCAD半导体器件仿真...
该专利属于无锡工艺职业技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过无锡工艺职业技术学院授权不得商用。

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