改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法，先获取双极晶体管单元结构的电参数要求及结构参数要求，接着根据电参数要求及结构参数要求建立适用于双极晶体管电学性能温度特性的Klaassen模型，然后采用TCAD半导体器件仿真软件仿真并解析Klaassen模型，最后建立基于Klaassen模型的收敛域函数，以提高Klaassen模型的精确度。采用本发明专利技术的设计方案，通过Klaassen模型的建立，并仿真可以探究晶体管电流放大倍数及高低温变化率的影响因素，进一步确认更加合理的太阳能电池片生产工艺，为太阳能电池片的质量提升提供指导。

【技术实现步骤摘要】
改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法
本专利技术涉及一种用于研究改善太阳能电池片生产工艺的方法，特别是一种改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法。
技术介绍
影响功率晶体管电流放大倍数的因素较多，电流放大倍数高低温变化率及改善措施一直以来为半导体器件领域的研究热点，为功率晶体管设计和制造的难点之一。截至目前，虽然关于功率晶体管电流放大倍数温度稳定性的研究报道较多，但大多只是从晶体管原理层面上对影响电流放大倍数高低温变化率的机理进行分析，可用于显著改善晶体管电流放大倍数高低温变化率的措施和手段不多。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术的目的是提供一种可行的能够更好的对影响电流放大倍数高低温变化率的因素分析的模型，并通过仿真结合实际的工艺进行优化的方法，本专利技术依据功率晶体管的电流放大倍数高低温变化率的实际电参数指标要求，利用Silvaco公司的Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件和晶体管原理，对电流放大倍数较高、电流容量较大的平面型低频大功率晶体管电流放大倍数温度稳定性进行了深入细致的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)获取双极晶体管单元结构的电参数要求及结构参数要求；/n2)根据电参数要求及结构参数要求建立适用于双极晶体管电学性能温度特性的Klaassen模型；/n3)然后采用TCAD半导体器件仿真软件仿真并解析Klaassen模型；/n4)建立基于Klaassen模型的收敛域函数。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)获取双极晶体管单元结构的电参数要求及结构参数要求；
2)根据电参数要求及结构参数要求建立适用于双极晶体管电学性能温度特性的Klaassen模型；
3)然后采用TCAD半导体器件仿真软件仿真并解析Klaassen模型；
4)建立基于Klaassen模型的收敛域函数。


2.根据权利要求1所述的改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法，其特征在于：所述步骤1)中，双极晶体管单元结构的电参数要求为：(1)BVCEO≥160V@IC＝2mA；(2)BVCBO≥200V@IC＝2mA；(3)β＝90～120@IC＝2A，VCE＝5V；(4)VCEsat≤1.0V@IC＝1.5A，IB＝40mA。


3.根据权利要求1所述的改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法，其特征在于：所述步骤1)中，双极晶体管单元结构的结构参数包括N型单晶硅片电阻率、晶向、少子寿命、N+衬底厚度、单晶层厚度、基区宽度、基区表面浓度、发射区表面浓度、发射结结深、单元宽度、发射区周长、发射区半宽度、发射极半宽度及基极半宽度。


4.根据权利要求1所述的改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法，其特征在于：所述步骤2)中，建立的适用于双极晶体管电学性能温度特性的Klaassen模型为：

【专利技术属性】
技术研发人员：马飞，
申请(专利权)人：无锡工艺职业技术学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32